碳纳米管MOSFET器件：从物理仿真到精准建模的探索.docx

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2025-03-07 发布于上海
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碳纳米管MOSFET器件：从物理仿真到精准建模的探索

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，集成电路作为现代电子系统的核心部件，其性能和集成度的提升一直是推动电子技术进步的关键因素。自集成电路发明以来，基于硅基的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术遵循摩尔定律，不断缩小器件尺寸，提高集成度和性能。然而，当集成电路制造工艺进入到后45nm时代，基于体硅工艺的电子器件开始逼近其物理极限。例如，短沟道效应变得愈发严重，栅极对沟道的控制能力减弱，导致漏电流增加、功耗上升以及器件性能的不稳定。这些问题严重制约了传统硅基MOSFET的进一步发展，促使科研人员寻找