总剂量辐照下SOI材料与器件界面态的深度剖析与精准表征.docx

总剂量辐照下SOI材料与器件界面态的深度剖析与精准表征

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，半导体器件在众多领域得到了广泛应用，尤其是在航天、核工业等高辐射环境中，对器件的性能和可靠性提出了极高的要求。绝缘体上硅（SOI，Silicon-On-Insulator）材料作为一种新型的硅基半导体材料，凭借其独特的“Si/绝缘层/Si”三层结构，展现出了诸多优异性能，使其在这些特殊环境中的应用备受关注。

SOI材料具有减小寄生电容、提高运行速度、降低功耗、消除闩锁效应以及抑制衬底脉冲电流干扰等优点。与体硅材料相比，SOI器件的运行速度可提高20-35%，功耗可