SiC MOSFET测试系统设计与开关特性分析.pdf

第58卷第3期电力电子技术V01．58，No．3

2024年3月PowerElectronicsMarch2024

SiC

MOSFET测试系统设计与开关特性分析

伍娟1，崔昊杨1，杨程1，文阳2

(1．上海电力大学，电子与信息工程学院，上海201306；

2．西安理工大学，自动化与信息工程学院，陕西西安710048)

摘要：以碳化硅金属．氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)为代表的第3代半导体功率器件因其优异的

开关特性，在新能源等领域被广泛应用，但面对高速开关耦合寄生参数所产生的负面效应，使得测试系统难以

快速、准确评估其开关瞬态等相关参数。首先，根据改进的双脉冲模型设计了一种高精度测试系统，硬件主要

包括功率测试板、集成脉冲发生器的控制板及驱动板，软件主要利用Keil编写控制板程序，LabVlEW进行用户

界面设计。其次，还探讨了电压和电流测量技术、连接技术和测量数据的处理，并且结合器件数据手册及仿真

结果分析实测结果，表明该系统测量误差小，量程大，抗干扰能力强，可信度高，能为优化第3代半导体器件和

驱动电路的设计和应用提供有益支持。

关键词：晶体管；碳化硅；测试系统；开关特性

中图分类号：TN32文献标识码：A文章编号：1000—100X(2024)03—0134—04

ofSiCMOSFETTestandofCharacteristics

DesignSystemAnalysisSwitching

WU

Juanl，CUI

Hao·yan91，YANGChen91，WENYan92

(1．ShanghaiUniversityofElectricPower，Shanghai201306，China)

Abstract：Thesemiconductorsiliconcarbide

third—generationdevices，representedby

power

field-effectusedinfieldssuchasnewduetotheirexcellent

transistors(SiCMOSFET)，areenergy

widelyswitching

effectscausedmakeitdif-

characteristics．However，the

negativebyhigh-speedswitchingcouplingparasiticparameters

ficuhtoandevaluatethetransientandotherrelatedofthese

rapidlyaccuratelyswitchingparametersdevices．Firstly，a

testbasedonanmodelishardwareincludesa

systemdesigned．Themainly

high-precisionimproveddoub