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电子电路知识园地ElectronicCircuitKnowledgePark印制电路信息2024No.4
PCB电镀铜知识（5）——电镀铜添加剂
性能分析与测试方法（下）
111221，3
陈苑明杨瑞泉郑莉黎钦源田玲何为
（1.电子科技大学材料与能源学院，四川成都610054；2.广州广合科技股份有限公司，
广东广州510730；3.珠海方正科技高密电子有限公司，广东珠海519175）
中图分类号：TN41文献标志码：A文章编号：1009⁃0096（2024）04⁃0064⁃05
TheknowledgeofcopperelectroplatingforPCB（5-B）：
performanceanalysisandtestingmethodsofadditivesfor
copperelectrodeposition
111221，3
CHENYuanmingYANGRuiquanZHENGLiLIQinyuanTIANLingHEWei
[1.SchoolofMaterialsandEnergy,UniversityofElectronicScienceandTechnologyofChina,Chengdu
610054,Sichuan,China;2.DeltonTechnology(Guangzhou)Co.,Ltd.,Guangzhou510730,Guangdong,
China;3.ZhuhaiFounderSciTechHigh-DensityElectronicsCo.,Ltd.,Zhuhai519175,Guangdong,China]
0引言含有添加剂的体系而言，在设置分子的吸附行为
和作用效果后，可以利用多物理场耦合模拟来预
随着计算机模拟技术的不断进步，数值模拟
测电镀铜中的铜沉积过程和添加剂的综合作用
法这一新兴技术应运而生。电镀铜数值模拟研究
效果。
涵盖了多物理场耦合模拟、分子动力学模拟、添
为了准确地分析实际工程问题，往往需要考
加剂分子的量子化学模拟等［1］。
虑多个物理现象的共同作用。作为一个涉及多个
1数值模拟研究物理过程的复杂过程，电镀铜涉及的物理场包括
电场、流场、压力场、物质传递与传热等。这些
1.1多物理场耦合模拟
物理过程之间相互影响，再加上化学反应过程，
电镀铜是一个涉及电流场分布、流场变化、共同决定铜在阴极的沉积情况。每个物理过程都
温度差异等多个因素的复杂过程。通过构建通孔/可以通过偏微分方程进行描述，通过物理参数将
盲孔填充模型，并将其与电镀铜过程中的各种物这些方程关联起来，可以获得电镀铜过程中镀液
理场进行耦合，使用有限元分析方法模拟盲孔填流场分布、电极电流分布、镀层厚度变化等信息。
充的过程，可以预测盲孔/通孔的填充过程。对于
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