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半导体废气制程排放-图文（精）

LT

半醇微摩裂程排氧系统

魏振翼，彭淑惠，胡石

摘要

新竹新阜圜扇的^立，带勤了台湾的^湃彝展，但也造成了琪境方面的

污染，半醇髓蕖在裂造遇程中，辗可避免地必须使用不同槿^的化学物

卷了提高J1品的良率，必须精密控制羟品所接解之琪境的空氟品而裂程

排氟系统(ExhaustSystem),81非裂程生羟所需但郤是卷生羟国域管

造一他可供生羟人具在安全辗虞情况下的工作琪境，因此裂程排氧系统，优

屡靠物^相容性至排放氧髓翰送，以至於各槿污染鹿理15借，皆需格且

缜密逗撵，追些均是琪琪相扣缺一不可。本文研究的目的乃是希望藉由斜封

座氯槿^及化晕性^之源^分析，暹而分51,以期能优目前圜显常用系统中

箭逗出既安全又璟保的系统。

^同：半醇髓工蕖、挥赞性有械座氟、洗滁塔

1.前言

半厚18工蕖，雎己有四十年的赞展，郤是在近十年内快速赞展，成房之速非常

熊人,且重子羟品已成卷人ffl生活中不可缺少的必需品，各他先迤阈家舞不努力於

研究樊展，以期在工蕖能力及市埸估有方面能取得僵势。但在半厚髓裂程生羟既可

符合裂程生羟需求，又能兼ii工蕖安全，同畤更可卷琪保翥一份心力畤，所排放之

座氟，除了封人髓畲有安全性之威耆外，更畲造成璟保空氟污染。有^於此，在投

入半蹲股工蕖建摩的同畤，希望能封装程排氟之虞理原理，琪保相IW法规甚至各他

系统虑理所使用之管材，做全面通黑的了解。

2.裂程排氧系统之分

半醇髓裂程流程中，使用械台槿^相常短多，各槿排放物^槿^更是不瞒枚聚,

若要斜封里一槿置罩猬排放虞理^施，不僮有其^置上的因KL而且施工上及

日彼雉修保普更周不易，因而，目前半厚髓1ft房中，依撼排放之特性大致上图分悬

酸/毒性(AcidExhaust)、龄性(AlkaliExhaust)、有械溶音J(SolventExhaust)

及一般排氧(GeneralExhaust)四他系统：

(I酸、雌性屡氧：其主要来源卷化阜清洗工作站，清洗晶片畤所羟生之挥赞性

氧赭，此氧髓

部分含有渡理，部分即封呼吸系统有刺激性作用有害人髓，故必Central

Scrubber做水洗中和虚理接，再排入大氟。

(2毒性廖氟：其主要来源卷化阜氟相沈稹(CVD)乾触刻械、^散、蹄

子植入橙及磊晶

等裂程畤所羟生，由於以上之裂程均使用大量的毒性氟髓，因此在其^台本身

即置有LocalScrubber作先行鹿理,再送至CentralScrubber做水洗中和腹理tt，

再排入大氟。

(3有械溶州1座氯：目前半厚髓裂造蕖大多以活性碳吸附塔或填充式洗源塔腹理

If内排之VOC

氧髓，但本公司之前Ifttt茂德摩用」探用沸石滤缩例输+燃氧式焚化燧，去除率

可逢90%以上，检目前较佳之空氟污染控制技衍。

(4一般座氯：其来源悬械器il樽赞熟)1生不含有害物故可^由排氟

借直接排入大

Mo

酸性啜氧管放排氧费意・酸

AcidExhuut

Central

一一排至大氧

CDOScrubber

毒性解运DAS南「千7!序

ToxicExhaust

旗水电理取

LtvalSci[

蛾睥氯瑜性囊氧排放管Skr一排至大氯

AlkaliExhausl

有檄嗔意.沸石凝相