T CASAS 032—2023 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法.pdfVIP

ICS29.045

CCSH80/84

团体标准

T/CASAS032—2023

碳化硅晶片表面金属元素含量的测定

电感耦合等离子体质谱法

Testmethodforthecontentofmetalelementsonthesurfaceof

siliconcarbidewafer—Inductivelycoupledplasmamass

spectrometry

版本：V01.00

2023-06-19发布2023-06-19实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

目次

前言III

引言IV

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

4方法提要2

5方法原理2

6干扰因素2

7试剂与材料2

8测量仪器与测试环境3

测量仪器3

测试环境3

9直接酸滴分解法扫描溶液的制备3

手动法3

自动法4

10待测元素质量数选择4

11校准曲线4

12测定次数4

13试验数据处理4

14精密度5

15试验报告5

碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

1范围

本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。

本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、

8-212-2

锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为10cm～10cm。

本文件适用于100mm(4吋)～200mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕

量金属元素含量的测定。

注：碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法

GB/T25915.1—2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级

GB/T39145—2020硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法

JJF1159四级杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范

3术语和定义

GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

扫描溶液scanningsolution

通过扫描方式收集的含有碳化硅晶片表面痕量金属元素的溶液。

直接酸滴提取法directaciddropletextraction

DADE

用含有硝酸、氢氟酸或者硝酸/氢氟酸和双氧水的提取液扫描提取碳化硅晶片表面的痕量金属杂质，

使其被充分收集到提取液中形成扫描溶液的方法。

背景噪声backgroundnoise

引入超纯的空白提取液，在待测元素质量数处产生的信号强度/信号响应值。

4方法提要

采用电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）测定碳化硅晶片表面金属元素含量。

5方法原理

采用直接酸滴提取法收集碳化硅晶片表面的金属元素到扫描溶液中，扫描溶液通