2023-2024学年吉林省延边朝鲜族自治州延吉市第二中学高考物理四模试卷含解析.docVIP

2023-2024学年吉林省延边朝鲜族自治州延吉市第二中学高考物理四模试卷

注意事项：

1．答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。

2．回答选择题时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑，如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其它答案标号。回答非选择题时，将答案写在答题卡上，写在本试卷上无效。

3．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。

一、单项选择题：本题共6小题，每小题4分，共24分。在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。

1、下列关于原子核的说法正确的是（）

A．质子由于带正电，质子间的核力表现为斥力

B．原子核衰变放出的三种射线中，粒子的穿透能力最强

C．铀核发生链式反应后能自动延续下去，维持该反应不需要其他条件

D．比结合能小的原子核结合成比结合能大的原子核时一定放出核能

2、2019年10月5日2时51分，我国在太原卫星发射中心用“长征四号丙”运载火箭，成功将“高分十号”卫星发射升空，卫星顺利进入略低于地球同步轨道的圆轨道，任务获得圆满成功。下列关于“高分十号”卫星的描述正确的是

A．“高分十号”卫星在轨运行周期可能大于24小时

B．“高分十号”卫星在轨运行速度在第一宇宙速度与第二宇宙速度之间

C．“高分十号”卫星在轨运行的机械能一定小于同步卫星的机械能

D．“高分十号”卫星在轨运行的向心加速度大于地球赤道上的物体随地球自转的向心加速度

3、1933年至1934年间科学家用α粒子轰击铝箔时，发生的核反应方程为，反应生成物可以像天然放射性元素一样发生衰变，核反应方程为。其中ν为中微子，为正电子。则下列说法正确的是（）

A．当温度、压强等条件变化时，放射性元素的半衰期随之变化

B．中微子的质量数A＝0，电荷数Z＝2

C．正电子产生的原因可能是核外电子转变成的

D．两个质子和两个中子结合成一个α粒子，则两个质子与两个中子的质量之和大于α粒子的质量

4、如图所示，在光滑水平桌面内，固定有光滑轨道，其中半圆轨道与直轨道相切于点，物体受到与平行的水平拉力，从静止开始运动，拉力的大小满足如图乙所示（以为坐标原点，拉力从指向为正方向）。若，，半圆轨道的半径，重力加速度取。则下列说法中正确的是（）

A．拉力从到做功为

B．物体从到过程中，所受的合外力为0

C．物体能够到达点，且速度大小为

D．物体能够到达点，且速度大小为

5、2012年12月26日，世界上最长的高铁京广线全线开通．如图所示，京广高铁从北京出发，经石家庄、郑州、武汉、长沙、衡阳，到达广州，途经北京、河北、河南、湖北、湖南、广东等6省市，全程2230公里，全程运行时间8小时．同学们根据上述材料，可以求出

A．北京到广州的路程 B．北京到广州的平均速度

C．北京到广州的加速度 D．北京到广州的位移

6、一质点做匀加速直线运动时，速度变化时发生位移，紧接着速度变化同样的时发生位移，则该质点的加速度为（）

A．

B．

C．

D．

二、多项选择题：本题共4小题，每小题5分，共20分。在每小题给出的四个选项中，有多个选项是符合题目要求的。全部选对的得5分，选对但不全的得3分，有选错的得0分。

7、如图所示的直角坐标系中，第一象限中有一匀强电场，场强方向与轴的夹角为。在第四象限存在宽度为，沿轴负方向足够长的匀强磁场。磁感应强度为，方向垂直纸面向里。现有不计重力的带电粒子（电荷量为，质量为）以速度从点射入磁场（与轴的夹角为）。若带电粒子通过磁场后恰好从点射入电场，并从上距离点为的点（图中未标出）离开电场。下列分析正确的是（）

A．带电粒子进入磁场时的速度大小为

B．带电粒子从点到点（图中未标出）运动的总时间为

C．该匀强电场的场强大小为

D．带电粒子离开电场时的动能为

8、如图所示，一匝数为n，边长为L，质量为m，电阻为R的正方形导体线框?bcd，与一质量为3m的物块通过轻质细线跨过两定滑轮相连．在导体线框上方某一高处有一宽度为L的上、下边界水平的匀强磁场，磁感应强度大小为B，方向垂直纸面向里．现将物块由静止释放，当?d边从磁场下边缘进入磁场时，线框恰好做匀速直线运动，不计—切摩擦．重力加速度为g．则()

A．线框?d边进入磁场之前线框加速度?=2g

B．从线框全部进入磁场到完全离开磁场的过程中，通过线框的电荷量

C．整个运动过程线框产生的焦耳热为Q=4mgL

D．线框进入磁场时的速度大小

9、一个长方体金属导体的棱长如图所示，将该长方体导体放在匀强磁场中，并使前侧面与磁场垂直，已知磁感应强度为B。导体的左右两侧面外接电源，产生由左向右的稳定电流时，测得导体的上、下表面间的电势差为U。则下列说法正确的是（）

A．上、下两表面比较，上表面电势高 B．上、下两表面比较，下表面电势高

C．导体