2025年GaAs半导体器件制造考核试卷 .pdfVIP

子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》

GaAs半导体器件制造考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪种材料通常与GaAs搭配制作半导体器件？()

A.硅(Si)

B.砷化镓(GaAs)

C.硅锗(SiGe)

D.镓氮化物(GaN)

2.GaAs半导体器件相比于硅器件，以下哪个特性更为优越？()

A.电子迁移率

B.电流放大系数

C.开关速度

D.所有以上选项

3.制作GaAs半导体器件时，以下哪个步骤属于外延生长？()

A.光刻

B.蚀刻

C.化学气相沉积

D.清洗

4.GaAs半导体器件的导电类型由以下哪个因素决定？()

A.杂质浓度

B.掺杂类型

C.掺杂浓度

D.所有以上选项

5.下列哪种掺杂剂通常用于n型GaAs？()

A.硒(Se)

B.硅(Si)

C.锑(Sb)

D.硼(B)

6.GaAs器件的欧姆接触通常采用以下哪种金属？()

A.铝(Al)

B.镍(Ni)

C.铅(Pb)

D.金(Au)

7.在GaAs器件制造中，以下哪项操作通常在离子注入后进行？()

A.光刻

B.热处理

C.清洗

D.蚀刻

8.下列哪种GaAs器件的制造方法可以最小化缺陷？()

A.分子束外延

B.液相外延

C.金属有机化学气相沉积

志不强者智不达，言不信者行不果。——墨翟

D.离子注入

9.下列哪项不是GaAs半导体器件的优点？()

A.高电子迁移率

B.高热导率

C.低制造成本

D.较宽的能带

10.GaAs半导体器件中，以下哪种结构用于增加电场？()

A.缓变沟道

B.阶梯沟道

C.平坦沟道

D.窄沟道

11.在GaAs半导体器件中，以下哪个参数与热载流子效应有关？()

A.临界电场

B.电子迁移率

C.载流子寿命

D.掺杂浓度

12.下列哪种GaAs器件主要用于高频应用？()

A.MESFET

B.HEMT

C.MOSFET

D.JFET

13.GaAs器件的制造过程中，以下哪个步骤用于去除表面杂质？()

A.离子注入

B.清洗

C.热处理

D.光刻

14.下列哪种掺杂剂通常用于p型GaAs？()

A.硅(Si)

B.锑(Sb)

C.铅(Pb)

D.硒(Se)

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