2025级电子信息工程专业《半导体物理学》考试试卷(含答案) .pdfVIP

君子忧道不忧贫。——孔丘

广东工业大学2025级电子信息工程专业《半导体

物理学》考试试卷

课程名称:半导体物理学试卷满分分

题号一二三四五六七八九十总分

：评卷得分

名

线

评卷签名

姓

复核得分

复核签名

一、（20分）名词解释（每题4分），

布喇菲格子：

：

号

学订

离子晶体：

费仑克尔缺陷：

：

业

专装施主能级，

间接复合：

二、（10分）硅晶体为金刚石结构，晶格常数为5.43Å，计算（110）面内单

：

院

位面积上的原子数。

学

广东工业大学试卷用纸，共8页，第1页

英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》

三、（10分）已知一维晶体的电子能带可以写成

h271



E(k)(cos2kacos6ka)

ma288

o

其中a为晶格常数。求能带的宽度。

27

四、（10分）晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加10V/m，10V/m的电场时，

试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。

五、（10分）设E－E为1.5kT，分别用费米分布函数和玻尔兹曼分布函数计算电

F0

子占据该能级的概率。

六、（15分)在室温时对Ge均匀掺杂百万分之一的硼原子后，计算掺杂锗室温时的

多子浓度和少子浓度以及E的位置。

F

广东工业大学试卷用纸，共8页，第2页

去留无意，闲看庭前花开花落；宠辱不惊，漫随天外云卷云舒。——《幽窗小记》

2



500cm/VS

七、（15分）一块迁移率为p的n型硅样品，空穴寿命p5s，

133

在其平面形的表面处有稳定的空穴注入，过剩空穴浓度(p)10cm