2025年(完整)半导体物理器件期末考试试题(全) .pdfVIP

子曰:“知者不惑，仁者不忧，勇者不惧。”——《论语》

(完整word·)2025半导体物理器件期末考试试题(全)

半导体物理器件原理（期末大纲）

指导老师：陈建萍

一、简答题（共6题，每题4分）。

代表试卷已出的题目

1、耗尽区：半导体内部净正电荷与净负电荷区域，因为它不存在任何可动的电荷,

为耗尽区（空间电荷区的另一种称呼）。

2、势垒电容：由于耗尽区内的正负电荷在空间上分离而具有的电容充放电效应，即

反偏Fpn结的电容。

3、Pn结击穿：在特定的反偏电压下,反偏电流迅速增大的现象。

4、欧姆接触：金属半导体接触电阻很低,且在结两边都能形成电流的接触.

5、饱和电压：栅结耗尽层在漏端刚好夹断时所加的漏源电压。

6、阈值电压：达到阈值反型点所需的栅压。

7、基区宽度调制效应：随C-E结电压或C-B结电压的变化，中性基区宽度的变化。

8、截止频率:共发射极电流增益的幅值为1时的频率。

9、厄利效应:基带宽度调制的另一种称呼(晶体管有效基区宽度随集电结偏置电压

的变化而变化的一种现象）

10、隧道效应：粒子穿透薄层势垒的量子力学现象。

11、爱因斯坦关系：扩散系数和迁移率的关系:

12、扩散电容：正偏pn结内由于少子的存储效应而形成的电容.

13、空间电荷区:冶金结两侧由于n区内施主电离和p区内受主电离而形成的带净正

电荷与净负电荷的区域.

14、单边突变结:冶金结的一侧的掺杂浓度远大于另一侧的掺杂浓度的pn结。

15、界面态：氧化层—-半导体界面处禁带宽度中允许的电子能态。

不飞则已，一飞冲天；不鸣则已，一鸣惊人。——《韩非子》

(完整word版)2015半导体物理器件期末考试试题(全)

16、平带电压:平带条件发生时所加的栅压,此时在氧化层下面的半导体中没有空间

电荷区。

17、阈值反型点：反型电荷密度等于掺杂浓度时的情形.

18、表面散射:当载流子在源极和源漏极漂移时,氧化层--半导体界面处载流子的电

场吸引作用和库伦排斥作用.

19、雪崩击穿：由雪崩倍增效应引起的反向电流的急剧增大，称为雪崩击穿.

20、内建电场：n区和p区的净正电荷和负电荷在冶金结附近感生出的电场叫内建

电场，方向由正电荷区指向负电荷区，就是由n区指向p区。

21、齐纳击穿：在重掺杂pn结内,反偏条件下结两侧的导带与价带离得非常近，以

至于电子可以由p区的价带直接隧穿到n区的导带的现象。

22、大注入效应：大注入下，晶体管内产生三种物理现象，既三个效应,分别称为：

（1）基区电导调制效应；（2）有效基区扩展效应；（3)发射结电流集边效应。它

们都将造成晶体管电流放大系数的下降。这里将它们统称为大注入效应。

23、电流集边效应：在大电流下，基极的串联电阻上产生一个大的压降，使得发射

极由边缘到中心的电场减小，从而电流密度从中心到边缘逐步增大，出现了发射极

电流在靠近基区的边缘逐渐增大，此现象称为发射极电流集边效应，或基区电阻自

偏压效应。

24、基区运输因子：共基极电流增益中的一个系数,体现了中性基区中载流子的复合

(后面问答题出现了)

25、表面电场效应:半导体中的电导被垂直于半导体表面电场调制的现象.

26、肖特基势垒场效应：当半导体加正向偏压时，半导体-金属势垒高度增大，无电

荷流动,形成反偏;在金属上加正向偏压时，半导—金属势垒高度减小,电子从半导

体流向金属,形成正偏。

27、发射效率：有效注入电流占发射极总电流的比例.（后面的问答题出现了)

英雄者，胸怀大志，腹有良策，有包藏宇宙之机，吞吐天地之志者也。——《三国演义》

(完整word版)2015半导体物理器件期末考试试题(全)

28、反型层：绝缘层和衬底界面上出现与衬底中多数载流子极性相反的电荷，称为

反型层。

29、辐射复合:根据能量守恒原则，电子与空穴复合时应释放一定的能量，如果能

量以光子的形式放出,这种复合成为辐射复合。

30、光生伏特效应：指光照使不均匀半导体或者半导体与金属结合的不同部位之间

产生电位差的现象。

二、画图题。

1、画出零偏、反偏、正偏状态下pn结的能带图

2、画出堆