半导体集成电路塑料小外形封装冲制型引线框架-2025标准 .pdfVIP

博学之，审问之，慎思之，明辨之，笃行之。——《礼记》

半导体集成电路

塑料小外形封装冲制型引线框架

1范围

本标准规定了半导体集成电路塑料小外形封装(SOP)引线框架(以下简称引线框架)的术语与定义、

基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输与贮存和质量承诺。

本标准适用于半导体集成塑料小外形封装冲制型引线框架。

2规范性引用文件

下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单位）适用于本标准。

GB/T2423.60—2008电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验U:引出端及整体安装

件强度

GB/T2828.1—2012计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划

GB/T7092半导体集成电路外形尺寸

GB/T14112—2015半导体集成电路塑料双列封装冲制型引线框架规范

GB/T14113半导体集成电路封装术语

GB/T15878-2015半导体集成电路小外形封装引线框架规范

SJ20129金属镀覆层厚度测量方法

3术语与定义

GB/T14112—2015和GB/T14113中界定的术语和定义适用于本文件。

4技术要求

4.1引线框架尺寸

引线框架的外形尺寸应符合GB/T7092的有关规定，并符合引线框架设计的要求。

4.2引线框架形状和位置公差

4.2.1侧弯

侧弯在整个标称长度上不超过0.05mm。

4.2.2卷曲

材料厚度不大于0.152mm时，卷曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152mm时，卷曲为材料厚度

的2倍。

4.2.3横弯

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百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

最大横弯不得超过±0.127mm。

4.2.4条带扭曲

材料厚度不大于0.152mm时，条带扭曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152mm时，条带扭曲为

材料厚度的2倍。

4.2.5引线扭曲

引线扭曲不超过3°30。

4.2.6精压深度

图纸上表明的尺寸为精压前尺寸，在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下，精压深度不大于

材料厚度的30%。最小精压深度受最小键合区要求的限制，最大精压深度受最小引线间距要求的限制，

参考值为0.015mm～0.06mm。

4.2.7绝缘间隙

相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.076mm。

4.2.8精压引线端共面性

引线框架内引线精压区端头共面性在±0.1mm范围内。

4.2.9芯片粘接区斜度

在长或宽每2.54mm尺寸最大倾斜0.05mm,测试从角到角进行。

4.2.10芯片粘接区下陷

芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算，公差为±0.05mm。

4.2.11芯片粘接区平面度

芯片粘接区平面度测试从中心到拐角进行，拐角测量点规定为离每边0.127mm处，平整度不大于

0.005mm。

4.2.12引线框架内部位置公差

所有引线框架的特征中心相对于边框上定位孔中心线实际位置公差，应在±0.05mm之内。

4.3引线框架外观

4.3.1毛刺

垂直毛刺最大为0.025mm,水平毛刺最大为0.05mm。

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