探索B(Al，Ga)N电子结构特性与量子结构设计的前沿研究.docx

探索B(Al，Ga)N电子结构特性与量子结构设计的前沿研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子、通信、能源等众多领域发挥着举足轻重的作用。随着科技的飞速发展，对半导体材料性能的要求日益提高，新型半导体材料的研发成为了材料科学领域的研究热点。B(Al，Ga)N作为一种具有独特性能的半导体材料，在电子结构特性和量子结构设计方面展现出巨大的潜力，引起了科研人员的广泛关注。

B(Al，Ga)N是由硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）和氮（N）组成的化合物半导体材料，属于III-V族氮化物半导体家族的重要成员。近年来，III-V族氮化物半导体