铟基半导体材料液相合成路径与光电探测性能的深度解析.docx

铟基半导体材料液相合成路径与光电探测性能的深度解析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代科技飞速发展的进程中，光电器件作为信息传输、处理与感知的关键元件，广泛应用于通信、医疗、安防、能源等诸多领域，对推动社会进步和提升生活质量发挥着举足轻重的作用。而半导体材料作为光电器件的核心基础，其性能的优劣直接决定了光电器件的工作效能与应用范围。铟基半导体材料，凭借其独特的物理化学性质，如适中的禁带宽度、高电子迁移率、良好的光学吸收特性以及优异的化学稳定性等，在光电器件领域展现出了巨大的应用潜力，成为了科研人员关注的焦点。

从电子迁移率的角度来看，铟基半导体材料的高电子迁移率使得电子在材料内部能够快