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探秘Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的圆偏振光学性质：从原理到应用

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子学、光电子学等众多领域发挥着关键作用。Ⅲ-Ⅴ族半导体材料，作为半导体家族中的重要成员，由元素周期表中Ⅲ族元素（如镓（Ga）、铝（Al）、铟（In）等）与Ⅴ族元素（如氮（N）、磷（P）、砷（As）、锑（Sb）等）化合而成，凭借其独特的物理性质，在半导体领域占据着举足轻重的地位。

从物理性质上看，Ⅲ-Ⅴ族半导体材料具有直接带隙特性，这使得电子在导带和价带之间跃迁时能够高效地吸收或发射光子，实现从光子到电子的高效能量转换。这种特性赋予了它们在光电器件应用中的