2025年单晶硅片的技术标准 .pdfVIP

君子忧道不忧贫。——孔丘

单晶硅片的技术标准

1范围

本要求规定了单晶硅片的分类、技术要求、包装以及检验规范等本

要求适用于单晶硅片的采购及其检验。

2规范性引用文件

ASTMF42-02半导体材料导电率类型的测试方法

ASTMF26半导体材料晶向测试方法

F84直线四探针法测量硅片电阻率的试验方法

ASTMF1391-93太阳能硅晶体碳含量的标准测试方法

ASTMF121-83太阳能硅晶体氧含量的标准测试方法

ASTMF1535用非接触测量微波反射所致光电导性衰减测定载流子

复合寿命的实验方法3术语和定义

叫：硅片中心点的厚度，是指一批硅片的厚度分布情况；

TTV：总厚度误差，是指一片硅片的最厚和最薄的误差(标准测量

是取硅片5点厚度：边缘上下左右6mm处4点和中心点)；位错：

晶体中由于原子错配引起的具有伯格斯矢量的一种线缺陷；位错密

度：单位体积内位错线的总长度(cm/cm)，通常以晶体某晶面单位

3

面积上位错蚀坑的数目来表示；

崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片

边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边弦长给出；

裂纹、裂痕：延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片

厚度的解理或裂痕；

丹青不知老将至，贫贱于我如浮云。——杜甫

四角同心度：单晶硅片四个角与标准规格尺寸相比较的差值。

密集型线痕：每1cm上可视线痕的条数超过5条

4分类

单晶硅片的等级有A级品和B级品，规格为：125,125l（mm）、

125,125H（mm）、156,156（mm）。

5技术要求

外观

见附录表格中检验要求。

外形尺寸

方片TV为200±20um,测试点为中心点；

方片TTV小于30um，测试点为边缘6mm处4点、中心1点；

硅片1可以五点测量法为准，同一片硅片厚度变化应小于其标称厚

度的15%；

相邻C段的垂直度：90±；

。

其他尺寸要求见表1。

表1单晶硅片尺寸要求

尺寸（mm）

规格D（弧长投

C（直线段

A（边长）B（直径）

长）

（mm）影）

Max.Min.Max.Min.Max.Min.Max.Min.

勿以恶小而为之，勿以善小而不为。——刘备

125’1251

125,12511

156,156

注1：A、B、C、D分别参见图1。

~~A

图1硅单晶片尺寸示意图

材料性质

导电类型：

序号硅片类型掺杂