2025年半导体器件电路设计与应用考核试卷 .pdfVIP

百川东到海，何时复西归?少壮不努力，老大徒伤悲。——汉乐府

半导体器件电路设计与应用考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体材料中，导电性能介于导体与绝缘体之间的材料称为：()

A.金属氧化物半导体

B.本征半导体

C.绝缘体

D.导体

2.以下哪种器件是基于PN结的整流特性制成的：()

A.二极管

B.三极管

C.场效应晶体管

D.集成电路

3.当二极管正向偏压时，其正向电流与反向偏压时的反向饱和电流相比：()

A.相等

B.前者大

C.后者大

D.取决于温度

4.以下哪种三极管结构适用于高频和小功率的工作：()

A.NPN

B.PNP

C.达林顿

D.MOSFET

5.场效应晶体管（FET）与双极型晶体管（BJT）在结构和工作原理上最显著的区别是：()

A.控制方式

B.电流放大

C.器件类型

D.驱动方式

6.在共射极放大电路中，当负载电阻增加时，电路的电压增益：()

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法确定

7.下列哪种情况下MOSFET处于可变电阻区：()

A.VGSVth

B.VDSVGS-Vth

C.VDSVGS-Vth

D.VGS=Vth

8.在数字电路中，用作开关的晶体管必须处于：()

A.放大状态

B.饱和状态

C.截止状态

先天下之忧而忧，后天下之乐而乐。——范仲淹

D.线性放大状态

9.下列哪种逻辑门电路由NAND和NOT门组合而成：()

A.OR

B.AND

C.NOR

D.XOR

10.在CMOS图像传感器中，像素单元的基本结构是：()

A.光电二极管

B.光电三极管

C.电阻

D.电容

11.在集成电路设计中，以下哪个参数不是衡量CMOS工艺的关键指标：()

A.电源电压

B.驱动能力

C.开关频率

D.热稳定性

12.关于功率MOSFET，下列说法正确的是：()

A.适用于低电压、大电流的工作

B.通常用作开关器件

C.只能在常温下工作

D.无需考虑开关过程中的热量问题

13.以下哪种类型的二极管通常用于整流：()

A.锗二极管

B.硅控整流二极管

C.发光二极管

D.光敏二极管

14.在模拟开关电路中，下列哪种情况下开关导通：()

A.控制电压大于门槛电压

B.控制电压小于门槛电压

C.控制电流大于维持电流

D.控制电流小于维持电流

15.