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(完整版)半导体器件物理试题库--第1页

西安邮电大学微电子学系商世广

半导体器件试题库

常用单位：

在室温（T=300K）时，硅本征载流子的浓度为n=1.5×10/cm

103

i

22

电荷的电量q=1.6×10Cµ=1350cm/Vsµ=500cm/Vs

-19

np

ε

=8.854×10F/m

-12

0

一、半导体物理基础部分

（一）名词解释题

杂质补偿：半导体内同时含有施主杂质和受主杂质时，施主和受主在导电性能上有互相抵

消的作用，通常称为杂质的补偿作用。

非平衡载流子：半导体处于非平衡态时，附加的产生率使载流子浓度超过热平衡载流子浓

度，额外产生的这部分载流子就是非平衡载流子。

迁移率：载流子在单位外电场作用下运动能力的强弱标志，即单位电场下的漂移速度。

晶向：

晶面：

（二）填空题

1.根据半导体材料内部原子排列的有序程度，可将固体材料分为、多晶和

三种。

2.根据杂质原子在半导体晶格中所处位置，可分为杂质和杂质两

种。

3.点缺陷主要分为、和反肖特基缺陷。

4.线缺陷，也称位错，包括、两种。

5.根据能带理论，当半导体获得电子时，能带向弯曲，获得空穴时，能带

向弯曲。

6.能向半导体基体提供电子的杂质称为杂质；能向半导体基体提供空穴的杂

质称为杂质。

7.对于N型半导体，根据导带低E和E的相对位置，半导体可分为、弱

CF

简并和三种。

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8.载流子产生定向运动形成电流的两大动力是、。

9.在Si-SiO系统中，存在、固定电荷、和辐射电离缺陷4种基

2

本形式的电荷或能态。

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