宏盛微半导体AGM311MAP-M1 VER2.65.pdf

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2025-03-18 发布于广东
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AGM311MAP-M1

●GeneralDescription

TheAGM311MAP-M1combinesadvancedtrenchProdcSa

utmry

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery

DSRDSONID

protectionapplications.BVS

●Features

30V10mΩ25A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductivelossPDFN3.3*3.3PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AGM311MAPAGM311MAP-M1PDFN3.3*3.3330mm12mm5000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）30V

VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)

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