宏盛微半导体AGM311MN VER2.68.pdf

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2025-03-18 发布于广东
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AGM311MN

●GeneralDescription

ProductSummary

TheAGM311MNcombinesadvancedtrench

MOSFETtechnologywithalowresistance

packagetoprovideextremelylowRDS(ON).BVDSSRDSONID

Thisdeviceisidealforloadswitchandbattery30V10.5mΩ11A

protectionapplications.

●FeaturesSOP8PinConfiguration

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PakagM

cearkig

nandOrderingInformation

Deviev

ceMarkingDiceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

GSOP8330mm12mm3000

AGM311MNAM311MN

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA25℃)

SymbolParameterRatingUnits

VDrain-SourceVoltage(V0V）V

DSGS30

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

DrainCurrent-Continuous(Ta25℃)(Note1)11A

IDDrainCurrent-Continuous(Ta100℃)

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