宏盛微半导体AGM318MBP VER2.68.pdf

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2025-03-18 发布于广东
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AGM318MBP

●GeneralDescription

TheAGM318MBPcombinesadvancedtrenchProductSummary

MOSFETtechnologywithalowresistancepackage

toprovideextremelylowRDS(ON).

ThisdeviceisidealforloadswitchandbatteryBVDSSRDSONID

protectionapplications.

●Features30V16mΩ8A

■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology

■LowRDS(ON)tominimizeconductivelossPDFN3.3*3.3PinConfiguration

■LowGateChargeforfastswitching

■LowThermalresistance

■100%Avalanchetested

■100%DVDStested

●Application

■MB/VGAVcore

■SMPS2SynchronousRectifier

■POLapplication

■BLDCMotordriver

PackageMarkingandOrderingInformation

DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity

AAGM318MBPAGM318MBPPDFN3.3*3.3330mm12mm5000

Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)

℃

SymbolParameterRatingUnits

Drain-SourceVoltage(V0V）V

VDSGS30

Gate-SourceVoltage(V0V)V

VGSDS±20

DrainCurrent-Continuous(TC25℃)(Note1)8.0A

IDDraieon

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