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硅胶体量子点异质结构光电探测器：性能优化与应用探索
一、引言
1.1研究背景与意义
随着信息技术的飞速发展，光电子技术在通信、计算、传感等领域的应用日益广泛，对光电器件的性能要求也越来越高。硅基光电子芯片凭借光的超高速、大带宽、抗电磁干扰等优点，有望解决微电子芯片在速度、容量和功耗等方面的发展瓶颈，并且可利用成熟的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺进行低成本、规模化生产，成为了光电子领域的研究热点之一。然而，受限于硅材料1.1eV的间接带隙、线性电光效应缺失等特性，硅基光电子芯片上的激光器、长波长红外探测器与调制器等有源器件的发展受到了极大限制。
传统的硅基光电器件在响应波长、响应速
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