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AP150N03PIT
30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP150N03P/Tusesadvancedtrenchtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=30VI150A
DSD
RDS(ON)3.0mΩ@VGS=10V（Type：2.2mΩ）
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP150N03PTO-220-3LAP150N03PXXXYYYY1000
AP150N03TTO-263-3LAP150N03TXXXYYYY800
AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisespecified)
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage30V
VGSGate-SourceVoltage±20V
I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,6155A
DC
I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,6110A
DC
IDMPulsedDrainCurrent2310A
EASSinglePulseAvalancheEnergy3246mJ
IAS
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