高压碳化硅MOSFET体二极管温度特性的深度剖析与研究.docx

高压碳化硅MOSFET体二极管温度特性的深度剖析与研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着电力电子技术的飞速发展，对功率器件的性能要求日益提高。传统的硅基功率器件由于材料特性的限制，在高压、高频、高温等应用场景下逐渐难以满足需求。碳化硅（SiC）作为一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度快等显著优势，为功率器件的发展带来了新的突破。

基于碳化硅材料制成的高压碳化硅MOSFET，在性能上展现出诸多超越传统硅基器件的特性。其高开关速度，能够有效减少开关损耗，提高系统的工作频率，使得电力电子设备可以在更高效的状态下运行。例如在高频开关电源中，高压碳化硅