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高压碳化硅MOSFET体二极管温度特性的深度剖析与研究
一、引言
1.1研究背景与意义
随着电力电子技术的飞速发展,对功率器件的性能要求日益提高。传统的硅基功率器件由于材料特性的限制,在高压、高频、高温等应用场景下逐渐难以满足需求。碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率高、电子饱和漂移速度快等显著优势,为功率器件的发展带来了新的突破。
基于碳化硅材料制成的高压碳化硅MOSFET,在性能上展现出诸多超越传统硅基器件的特性。其高开关速度,能够有效减少开关损耗,提高系统的工作频率,使得电力电子设备可以在更高效的状态下运行。例如在高频开关电源中,高压碳化硅
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