宏盛微半导体AP150N03NF.pdf

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AP150N03NF

30VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP150N03NFusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasa

BatteryprotectionorinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=30VI150A

DSD

RDS(ON)2mΩ@VGS=10V（Type:1.4mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP150N03NFPDFN5*6-8LAP150N03NFXXXYYYY5000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage30V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,6150A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1,678A

IDMPulsedDrainCurrent2500A

EASSinglePulseAvalancheEnergy3240mJ

IASAvalancheCurrent55

该用户很懒，什么也没介绍

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