阻率与载流子浓度掺杂浓.pptVIP

在弱场条件下，载流子的平均自由运动时间基本上由载流子的热运动速度决定，不随电场的改变而发生变化，因此弱场下载流子的迁移率可以看成是一个常数。当外加电场增强为7.5kV/cm之后，对应的载流子定向漂移运动速度将达到107cm/s，这与载流子的平均热运动速度持平。此时，载流子的平均自由运动时间将由热运动速度和定向漂移运动速度共同决定，因此载流子的平均自由运动时间将随着外加电场的增强而不断下降，由此导致载流子的迁移率随着外加电场的不断增大而出现逐渐下降的趋势，最终使得载流子的漂移运动速度出现饱和现象，即载流子的漂移运动速度不再随着外加电场的增加而继续增大。简单模型在电场作用下：0103假设载流子在两次碰撞之间的自由路程为l，自由时间为г，载流子的运动速度为v：02vd为电场中的漂移速度，vth为热运动速度。0401弱场：02平均漂移速度：较强电场：强电场：∴平均漂移速度Vd随电场增加而缓慢增大半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件电导率和电阻率电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度：I将电流密度与该处的电导率以及电场强度联系起来，称为欧姆定律的微分形式显然：电导率（电阻率）与载流子浓度（掺杂浓度）和迁移率有关半导体的电阻率和电导率问题：本征半导体的导电性（常温下）是否一定比掺杂半导体更差？01其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μpσSi-min≈0.86σSi-I; σGaAs-min≈0.4σGaAs-I;02右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。电阻率和杂质浓度的关系右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因：杂质在室温下不能完全电离迁移率随杂质浓度的增加而显著下降由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。电导率和温度的关系右图所示为一块N型半导体材料中，当施主杂质的掺杂浓度ND为1E15cm-3时，半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线。从图中可见，在非本征激发为主的中等温度区间内（即大约200K至450K之间），此时杂质完全离化，即电子的浓度基本保持不变，但是由于在此温度区间内载流子的迁移率随着温度的升高而下降，因此在此温度区间内半导体材料的电导率也随着温度的升高而出现了一段下降的情形。当温度进一步升高，则进入本征激发区，此时本征载流子的浓度随着温度的上升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。而当温度比较低时，则由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导体材料的电导率都随着温度的下降而不断减小。电阻率和温度的变化关系：Tρ低温饱和本征低温下晶格振动不明显，本征载流子浓度低。电离中心散射随温度升高而减弱，迁移率增加杂质全部电离，载流子浓度不变；晶格振动散射起主要作用，随温度升高迁移率下降本征区，载流子浓度随温度升高而迅速升高，载流子的漂移速度饱和效应

前边关于迁移率的讨论一直建立在一个基础之上：弱场条件。即电场造成的漂移速度和热运动速度相比较小，从而不显著改变载流子的平均自由时间。但在强场下，载流子从电场获得的能量较多，从而其速度（动量）有较大的改变，这时，会造成平均自由时间减小，散射增强，最终导致迁移率下降，速度饱和。对于热运动的电子：上述随机热运动能量对应于硅材料中电子的平均热运动速度为107cm/s；如果我们假设在低掺杂浓度下硅材料中电子的迁移率为μn=1350cm2/V?s，则当外加电场为75V/cm时，对应的载流子定向漂移运动速度仅为105cm/s，只有平均热运动速度的百分之一。半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理与器件半导体物理