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半导体器件生产数据分析与应用考核试卷

考生姓名：__________答题日期：______得分：_________判卷人：_________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件中最基本的单元是：（）

A.二极管B.晶体管C.集成电路D.电容器

2.以下哪种材料是典型的半导体材料？（）

A.铜B.硅C.铝D.铅

3.在N型半导体中，主要的载流子是：（）

A.空穴B.电子C.正离子D.负离子

4.P-N结在正向偏压下：（）

A.阻值减小B.阻值增大C.产生电势差D.电流减小

5.关于MOSFET的描述，正确的是：（）

A.适用于低频应用B.电压控制型器件C.电流控制型器件D.结构与JFET相似

6.在半导体器件生产过程中，下列哪种技术用于去除表面的杂质？（）

A.蚀刻B.离子注入C.氧化D.清洗

7.以下哪种方法不适用于测试晶体管的放大倍数？（）

A.输出特性曲线B.直流参数测试C.交流小信号测试D.光照测试

8.在半导体器件生产中，用于形成N型区的常用掺杂剂是：（）

A.硼B.磷C.砷D.铝

9.关于半导体器件生产中的光刻技术，下列说法正确的是：（）

A.用于制作MOSFET的栅极B.用于制作二极管的P-N结C.用于制作晶圆的切割D.用

于检测半导体材料的纯度

10.在半导体器件中，以下哪种现象会导致器件性能下降？（）

A.温度升高B.湿度增加C.光照强度增加D.电压降低

11.以下哪种方法常用于测试二极管的正向电压？（）

A.万用表测试B.示波器测试C.电桥测试D.信号发生器测试

12.在半导体器件生产过程中，下列哪种方法用于形成绝缘层？（）

A.蚀刻B.离子注入C.氧化D.蒸发

13.以下哪个参数反映了晶体管的开关速度？（）

A.放大倍数B.饱和电流C.截止频率D.热稳定性

14.关于半导体器件的可靠性测试，下列说法正确的是：（）

A.主要测试器件的热稳定性B.主要测试器件的电气特性C.主要测试器件的机械性能

D.以上都对

15.以下哪种材料常用于制造光电器件？（）

A.硅B.锗C.镓D.铜

16.在半导体器件生产中，下列哪个步骤用于去除氧化层？（）

A.蚀刻B.离子注入C.氢氟酸腐蚀D.清洗

17.关于JFET和MOSFET的描述，错误的是：（）

A.JFET为电流控制型器件B.MOSFET为电压控制型器件C.JFET和MOSFET的结构相似

D.JFET的输入阻抗低于MOSFET

18.以下哪个参数是衡量MOSFET开关速度的重要指标？（）

A.阈值电压B.亚阈值摆幅C.开关频率D.导通电阻

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