固态电子器件第七版课后答案.pdf

固态电子器件第七版课后答案

姓名：班级：成绩：

一、选择题（每题3分，共15分）

1.以下哪种器件不属于固态电子器件（）

A.二极管B.三极管C.电阻D.电子管

答案：D

解析：知识点来源于固态电子器件的定义及分类。固态电子器件是基于固体半导体

材料的电子器件，二极管、三极管、电阻都属于固态电子器件范畴。而电子管是一种早

期的电子器件，依靠电子在真空中运动来工作，不属于固态电子器件。

2.半导体中，本征激发产生的载流子是（）

A.电子B.空穴C.电子-空穴对D.离子

答案：C

解析：根据半导体物理中本征激发的知识点。本征激发是指在一定温度下，半导体

价带中的电子获得足够能量跃迁到导带，同时在价带中留下一个空穴，即产生电子-

空穴对。

3.对于N型半导体，其多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.离子D.光子

答案：A

解析：在N型半导体中，通过掺入五价杂质原子，杂质原子提供额外的电子，使得

电子成为多数载流子，空穴为少数载流子。这是半导体掺杂及载流子类型相关知识点。

4.二极管的伏安特性曲线中，当反向电压超过某一数值时，电流急剧增大，这种

现象称为（）

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.热击穿

答案：C

解析：这是二极管伏安特性的重要知识点。当反向电压增大到一定程度时，二极管

的反向电流突然急剧增大，二极管失去单向导电性，这种现象就是反向击穿。正向导通

是指正向电压超过死区电压后二极管导通；反向截止是正常反向电压下二极管电流极小

近似截止；热击穿是由于功耗过大导致温度升高而使器件损坏，与这里描述不符。

5.三极管工作在放大区的条件是（）

A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏

答案：B

解析：三极管工作状态与发射结、集电结偏置状态密切相关。当发射结正偏，集电

结反偏时，三极管工作在放大区，此时三极管具有电流放大作用。发射结正偏，集电结

正偏时三极管工作在饱和区；发射结反偏，集电结反偏时三极管工作在截止区；发射结

反偏，集电结正偏这种情况一般不存在。

二、填空题（每题3分，共15分）

1.半导体材料的导电能力介于______和______之间。

答案：导体；绝缘体

解析：这是半导体基本定义的知识点。半导体的重要特性就是其导电能力在导体和

绝缘体之间，并且其导电能力受温度、光照等因素影响较大。

2.在PN结中，P区一侧带______电，N区一侧带______电。

答案：负；正

解析：PN结形成过程中，P区空穴向N区扩散，N区电子向P区扩散，结果在交界面处

P区留下负离子，N区留下正离子，所以P区一侧带负电，N区一侧带正电。

3.场效应管是一种______控制型器件。

答案：电压

解析：场效应管与三极管不同，三极管是电流控制型器件，而场效应管是通过改变

栅源电压来控制漏极电流，所以是电压控制型器件，这是场效应管的重要特性知识点。

4.集成运算放大器的输入级通常采用______电路，以减小零点漂移。

答案：差动放大

解析：零点漂移是直接耦合放大电路存在的问题，差动放大电路对共模信号有很强

的抑制能力，能有效减小零点漂移，所以集成运算放大器的输入级通常采用差动放大电

路，这是集成运算放大器电路结构知识点。

5.半导体存储器按功能可分为______和______。

答案：随机存取存储器（RAM）；只读存储器（ROM）

解析：这是半导体存储器分类的知识点。随机存取存储器可以随时读写数据，断电

后数据丢失；只读存储器在正常工作时只能读出数据，断电后数据不丢失，常用于存储

固定程序和数据。

三、简答题（每题10分，共30分）

1.简述PN结的单向导电性。

答案：当PN结外加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，外电场与内电

场方向相反，内电场被削弱，空间电荷区变窄，多数载流子的扩散运动增强，形成较大

的正向电