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半导体器件的表面钝化处理考核试卷--第1页

半导体器件的表面钝化处理考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪种方法不是半导体器件表面钝化的常用手段？（）

A.热氧化

B.化学气相沉积

C.光刻

D.离子注入

2.在硅半导体表面钝化处理中，常用的氧化剂是什么？（）

A.氧气

B.氯气

C.硅烷

D.硝酸

3.下列哪种钝化方法对半导体表面缺陷具有修复作用？（）

A.热氧化

B.化学气相沉积

C.离子注入

D.光刻

4.在半导体器件制造中，为什么需要对表面进行钝化处理？（）

A.提高器件的导电性

B.减少表面缺陷

C.降低器件的耐压性

D.增加表面污染

5.下列哪种材料常用于半导体器件的表面钝化？（）

A.硅

B.硅氧化物

C.硅碳

D.硅氮化物

6.在热氧化过程中，影响氧化层质量的因素是什么？（）

A.氧气浓度

B.温度

C.时间

D.以上都是

7.下列哪种方法不属于化学气相沉积钝化方法？（）

A.等离子体增强化学气相沉积

B.低压化学气相沉积

C.高压化学气相沉积

D.溶胶-凝胶法

8.在半导体器件表面钝化处理中，哪种方法可以实现三维钝化？（）

A.热氧化

B.化学气相沉积

C.离子注入

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D.光刻

9.下列哪种情况下，半导体器件表面钝化效果最好？（）

A.温度低、时间短

B.温度高、时间长

C.温度适中、时间适中

D.温度低、时间长

10.在钝化处理过程中，为什么需要控制氧化层厚度？（）

A.影响器件的导电性

B.影响器件的耐压性

C.影响器件的光学性能

D.以上都是

11.下列哪种材料不适合作为钝化层？（）

A.硅氧化物

B.硅氮化物

C.硅碳化物

D.硅金属化合物

12.在离子注入钝化方法中，哪种离子具有最好的钝化效果？（）

A.氧离子

B.氢离子

C.硅离子

D.碳离子

13.下列哪种钝化方法可以降低表面缺陷密度？（）

A.热氧化

B.化学气相沉积

C.离子注入