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半导体器件的测试方法与设备考核试卷--第1页

半导体器件的测试方法与设备考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.半导体器件测试中，测量电流-电压（I-V）特性最常用的设备是：（）

A.示波器

B.数字万用表

C.扫频仪

D.信号发生器

2.在半导体器件测试中，下面哪项不是场效应晶体管的主要参数？（）

A.跨导

B.电流放大系数

C.通道长度调制参数

D.输入阻抗

3.下列哪种测试方法通常用于评估半导体器件的热稳定性？（）

A.隧道电流测试

B.加速寿命测试

C.温度循环测试

D.高温存储测试

4.在进行PN结电容-电压特性测试时，一般采用以下哪种方法？（）

A.直流测试法

B.交流测试法

C.脉冲测试法

D.阶梯测试法

5.测试双极型晶体管的电流放大系数β时，一般采用哪种接法？（）

A.共发射极接法

B.共基极接法

C.共集电极接法

D.任意接法

6.以下哪种设备通常用于测试半导体器件的噪声特性？（）

A.频谱分析仪

B.噪声分析仪

C.示波器

D.数字万用表

7.在半导体器件测试中，下列哪种测试方法可以评估器件的长期可靠性？（）

A.高温高压测试

B.温度循环测试

C.快速热循环测试

D.所有上述测试

8.对于功率MOSFET的测试，以下哪个参数不是关键测试点？（）

A.导通电阻

B.开关频率

C.栅极阈值电压

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D.电流泄漏

9.测试半导体器件的雪崩击穿电压时，通常采用的测试方法是：（）

A.阶梯升压法

B.交流测试法

C.恒流测试法

D.直流测试法

10.在半导体器件的寿命测试中，以下哪个参数不是考虑的主要因素？（）

A.电流

B.电压

C.频率

D.温度

11.用于测试半导体器件结电容的设备是：（)

A.电桥

B.频率分析仪

C.高阻表

D.逻辑分析仪

12.测试场效应晶体管的漏极电流时，以下哪种条件是不正确的？（）

A.栅源电压固定

B.漏源电压固定

C.栅极开路

D.漏极开路

13.在半导体器件测试中，用来评估器件在高频应用下的性能的参数是：（）

A.热阻

B.增益带宽积

C.开关频率

D.电流泄漏

14.以下哪种测试方法通常用于评估半导体器件的ESD保护能力？（）

A.静电放电测试

B.高温高压测试

C.温度循环测试

D.湿热测试

15.用于测试半导体器件的少子寿命的常用方法是：（）

A.载流子寿命测量

B.阻抗谱测量

C.霍尔效应测量