宏盛微半导体AP3N10CI.pdf

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AP3N10CI

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP3N10CIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI2.8A

DSD

RDS(ON)300mΩ@VGS10V(Type：220mΩ)

Application

Atomizer

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP3N10CISOT23LMA3-AP3000

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V2.8A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V1.4A

IDM

该用户很懒，什么也没介绍

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