宏盛微半导体AP8N10MSI.pdf

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AP8N10MSI

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP8N10MSIusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI8A

DSD

RDS(ON)110mΩ@VGS=10V（Type：88mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP8N10MSISOT223-3LAP8N10MSIXXXYYYY3000

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V8A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V6.5A

PulsedDrainCurrent124A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation30W

P@T=25℃TotalPowerDissipation3

该用户很懒，什么也没介绍

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