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1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤，温度要低于杂质

热扩散的温度，然而，杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象，

解释其原因。

2、问答题什么是扩散效应？什么是自掺杂效应？这两个效应使得

衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化？

3、问答题说明SiO2的结构和性质，并简述结晶型SiO2和无定形

SiO2的区别。

4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中

（Back-End-Of-Line，BEOL）采用铜（Cu）互连和低介电常数（low-

k）材料的必要性。

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5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式，并解释其含

义。

6、问答题说明影响氧化速率的因素。

7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么？它们分别

在什么情况下会支配整个淀积速率？

8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃

源引入的杂质总剂量为Qcm-2。

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9、问答题什么是溅射产额，其影响因素有哪些？简述这些因素对

溅射产额产生的影响。

10、问答题

以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。

11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理

性质。

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12、问答题什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和

B哪种横向效应更大？为什么？

13、问答题简述BOE（或BHF）刻蚀SiO2的原理。

14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。

15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线，请分别写出a-g

各段的名称。可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段？试

解释其工作原理。

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16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何

区别。

17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步？简述各步骤的作用。

18、问答题简述RTP设备的工作原理，相对于传统高温炉管它有

什么优势？

19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。

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21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？

22、问答题

下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程，写出发生反应的方程式，并简述其中1～5

各步的含义。

23、问答题

简述硼和磷的退火特性。

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24、问答题分别简述RVD和GILD的原理，它们的优缺点及应用方

向。

25、问答题在铜互连中，为什么要用铜扩散阻挡层？阻挡层分成

哪几种，分别起什么作用？

26、问答题