宏盛微半导体AP15N10D-L.pdf

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AP15N10D-L

100VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP15N10D-Lusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=100VI14.5A

DSD

RDS(ON)120mΩ@VGS=10V（Type：88mΩ）

Application

Automativelighting

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP15N10D-LTO-252-3LAP15N10DXLXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(TC=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage100V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃DrainCurrent,VGS@10V14.5A

I@T=100℃DrainCurrent,VGS@10V8.1A

PulsedDrainCurrent128A

IDM

P@T=25℃TotalPowerDissipation20.8W

P@T=25℃TotalPowerDissip

该用户很懒，什么也没介绍

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