宏盛微半导体AP85N08BPT.pdf

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AP85N08BPIT

80VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP85N08BP/Tusesadvancedtrenchtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.

ThisdeviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V80VI85A

DSD

RDS(ON)8.5mΩVGS10V（Type：6.5mΩ）

Application

Batteryprotection

Loadswitch

Uninterruptiblepowersupply

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP85N08BPTO-220-3LAP85N08BPXXXYYYY1000

AP85N08BTTO-263-3LAP85N08BTXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterValueUnit

VDSDrain-SourceVoltage(VGS0V）80V

VGSGate-SourceVoltage(VDS0V)±20V

ID@TC25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V85A

ID@TC100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V55A

IDMDrainCurrent-Continuous@Current-Pulsed300A

℃℃133W

PD@TC25MaximumPowerDissipation(Tc25)

EASSinglepulseavalancheenergy550

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