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南京IGBT芯片生产线建设项目

商业计划书

投资分析/实施方案

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报告摘要

工业控制为IGBT最大市场需求领域，需求稳定增长。IGBT模块是变频

器、逆变焊机等传统工业控制及电源行业的核心元器件，且已在此领域中

得到广泛应用。目前，随着工业控制及电源行业市场的逐步回暖，预计

IGBT模块在此领域的市场规模亦将得到逐步扩大。

近年来全球新能源汽车销量快速增长，全球新能源乘用车的销量将由

2019年的221万辆增长到2025年的1200万辆，年均复合增长率将达到

32.6%，而中国作为全球最大的新能源汽车市场，占比将维持在40-50%份额。

该IGBT芯片项目计划总投资17094.30万元，其中：固定资产投

资13721.64万元，占项目总投资的80.27%；流动资金3372.66万元，

占项目总投资的19.73%。

达产年营业收入30453.00万元，净利润4651.73万元，达产年纳

税总额2701.57万元；达产年投资利润率36.28%，投资利税率43.02%，

投资回报率27.21%，全部投资回收期5.17年，提供就业职位648个。

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南京IGBT芯片生产线建设项目商业计划书目录

第一章总论

第二章项目建设背景

第三章市场分析、调研

第四章建设内容

第五章土建工程说明

第六章运营管理模式

第七章风险应对说明

第八章SWOT分析

第九章项目实施进度计划

第十章项目投资规划

第十一章经济效益可行性

第十二章综合评价说明

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第一章总论

一、项目名称及建设性质

（一）项目名称

南京IGBT芯片生产线建设项目

（二）项目建设性质

该项目属于新建项目，依托xxx产业示范园区良好的产业基础和

创新氛围，充分发挥区位优势，全力打造以IGBT芯片为核心的综合性

产业基地，年产值可达30000.00万元。

二、项目承办单位

xxx有限公司

三、战略合作单位

xxx公司

四、项目建设背景

IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶

体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的

开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优

点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、

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高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发

展方向。

功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，主要用于改变

电子装置中电压和频率、直流交流转换等。功率半导体细分为功率器件

（分立器件的一支）和功率IC（集成电路的一支）。理想情况下，完美的

转化器在打开的时候没有任何电压损失，在开闭转换的时候没有任何的功

率损耗，因此功率半导体这个领域的产品和技术创新，其目标都是为了