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预溅射层对铜铟镓硒薄膜择优取向调控机制研究
目录
预溅射层对铜铟镓硒薄膜择优取向调控机制研究(1)............4
一、内容概要...............................................4
1.1研究背景...............................................4
1.2研究目的与意义.........................................5
1.3国内外研究现状.........................................5
二、实验材料与方法.........................................6
2.1实验材料...............................................7
2.2设备与仪器.............................................8
2.3实验方法...............................................9
2.3.1预溅射技术...........................................9
2.3.2薄膜制备工艺........................................10
2.3.3择优取向检测与分析..................................11
三、预溅射层对CuInGaSe2薄膜择优取向的影响.................11
3.1预溅射层厚度对择优取向的影响..........................12
3.2预溅射层成分对择优取向的影响..........................13
3.3预溅射层结构对择优取向的影响..........................14
四、预溅射层调控CuInGaSe2薄膜择优取向的机理分析...........14
4.1预溅射层对表面能的影响................................15
4.2预溅射层对界面能的影响................................15
4.3预溅射层对成核与生长过程的影响........................16
五、预溅射层优化方案与实验验证............................17
5.1优化预溅射层厚度......................................18
5.2优化预溅射层成分......................................18
5.3优化预溅射层结构......................................19
5.4实验验证与分析........................................19
六、结果与讨论............................................20
6.1预溅射层对CuInGaSe2薄膜光电性能的影响.................21
6.2预溅射层对CuInGaSe2薄膜结构性能的影响.................21
6.3预溅射层对CuInGaSe2薄膜稳定性影响的分析...............22
七、结论..................................................23
7.1研究结论..............................................23
7.2研究局限性............................................24
7.3未来研究方向..........................................25
预溅射层对铜铟镓硒薄膜择优取向调控机制研究(2)...........25
内容综述...............................................25
1.1研究背景..............................................26
1.2研究意义..............................................27
1.3国内外研究现状........................................28
预溅射层的基本理论...........
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