NSM2013-65B3F-DSWR 高精度霍尔效应电流传感器IC 5千伏高隔离共模场抑制 SOW16 深圳恒锐丰科技.pdf

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NSM2013

High-Accuracy,Hall-Effct-BasdCurrntSnsorICwith

Common-ModFildRjctionin5kVHigh-Isolation

Datasht(EN)1.0

ProductOvrviwHighisolationlvlthatmtsULstandards

Maximumrpatdisolationwithstandvoltag(VIROM):

NSM2013isanintgratdpathcurrntsnsorwithavry

1550Vpk

lowon-rsistancof0.85mΩ,rducinghatlossonthchip.

Maximumworkingisolationwithstandvoltag(VIOWM):

NOVOSENSEinnovativisolationtchnologyandsignal1097Vrms

conditioningdsigncanmthighisolationlvlswhilWithstandisolationvoltag(VISO):5000Vrms

snsingthcurrntflowingthroughthintrnalBusbar.A

Maximumsurgisolationwithstandvoltag(VIOSM):

diffrntialHallpairisusdintrnally,soithasastrong10kV

immunitytoxtrnalstraymagnticfilds.

Maximumsurgcurrnt(Isurg):13kA

NSM2013snssthmagnticfildgnratdbythCMTI100V/ns

BusbarcurrntflowingundrthchiptoindirctlydtctCTI(I)

thcurrnt.Compardwiththcurrntsamplingmthod

Crpagdistanc/Clarancdistanc:8mm

ofthShunt+isolatdop-amp,NSM2013liminatsth

NOVOSENSEinnovativ‘SpinCurrnt’tchnology

ndforthprimarysidpowrsupplyandhasasimpl

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