项目一晶体硅太阳电池制造工艺.pptVIP

一、刻蚀目的由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。二、刻蚀种类刻蚀主要有干法刻蚀和湿法刻蚀两大类。1、干法刻蚀即等离子体刻蚀，是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被材料进行反应，形成挥发性反应物而被除去。干法刻蚀设备夹具与底座卡紧夹具放置好后腔体内全图二、刻蚀种类湿法刻蚀设备2、湿法刻蚀利用滚轴，将硅片边缘和背面与反应液面接触，采用硝酸和氢氟酸与硅片反应，将边缘和背面多余的N型层去除。再通过氢氟酸与硅片正面的磷硅玻璃反应，将磷硅玻璃去除。刻蚀后须测试硅片边缘是否为P型，刻蚀宽度小于0.5MM，如有刻蚀不彻底需要重新刻蚀。等离子刻蚀参数：设定功率450-70w，反射功率15w，辉光时间600-1100s，辉光气压50-110Pa。3、控制点二、刻蚀种类刻蚀后进行的是去PSG，去PSG工作原理为：扩散时POC13与Si反应生成副产物SiO2残留于硅片表面，形成一层磷硅玻璃（掺P2O5的SiO2，含有未渗入硅片的磷源）。磷硅玻璃对于太阳光线有阻挡作用，并会影响到后续减反射膜的制备，需要去除。去除原理是，利用HF与SiO2能够快速反应的化学特性，使硅片表面的PSG溶解。主要反映方程式4HF+SiO2=SiF4+2H2O010302三、去PSG四、湿法刻蚀流程湿法刻蚀的工艺过程四、湿法刻蚀流程湿法刻蚀是集去周边PN结和去PSG于一体的工艺过程，所用设备与清洗制绒设备类似，其工艺过程如表所示，整个过程一共有七个槽，槽与槽之间有以下关系：“一化一水”，硅片每经过一次化学品，都会经过一次水喷淋清洗。除刻蚀槽和第一道水喷淋之间,其它的槽和槽之间都有吹液风刀。除刻蚀槽外，其它化学槽和水槽都是喷淋结构，去PSG氢氟酸槽是喷淋结构，而且片子进入到溶液内部。最后一道水喷淋（第三道水喷淋）由于要将所有化学品全部洗掉，所以水压最大。相应的，最后的吹干风刀气压最大。四、湿法刻蚀流程刻蚀前放片时盖板下第一片和最下面一片P面要朝外。01刻蚀机石英罩用酒精擦洗完不可直接投片进行刻蚀辉光，必须等到酒精自动烘干之后方可进行操作。02硅片清洗完未及时甩干，会有水纹印产生。03影响刻蚀效果的因素有：刻蚀机压力、辉光颜色。04五、注意事项025、去除PSG槽体清洗的注意事项：首先排掉清洗槽、背面储水槽的液体，用无尘布擦拭槽壁至干净，擦拭后纯水冲洗槽壁，然后进水至正常液位，至此完成清洗。6、交接班的事项：本版的运行状况（设备、工艺、质量），5S的状况确认，操作记录与流程卡填写到那个序号，生产那个厂家、批号、等级，在制品的数量，工装夹具，机器的产数。01五、注意事项异常状况基本的处理和回馈的流程确认异常状况，停止生产，上报直接主管，等待相关人员处理。刻蚀后未清洗的在制品数量和存放时间的要求：数量小于1600片，存放时间小于2小时。清洗甩干后未镀膜的在制品数量和存放时间的要求：数量小于800片，存放时间小于0.5小时。五、注意事项生产运行前必须检查每个槽位的时间设定。换液时，必须穿戴防护用品和穿戴的先后顺序为：防护用品：防毒面具、连体防护服、防酸碱鞋、乳胶手套、长袖防护手套。首先戴好乳胶手套，把鞋子脱了，接着穿上连体防护服，然后把防酸碱鞋穿上，带好防毒面具，最好带好长袖防护手套。五、注意事项01任务四减反射膜的制备02任务分析任务目的知识应用减反射膜是提高硅太阳电池转换效率的又一工艺，减反射膜不仅可以增加光的吸收，还可以增加少子寿命，是制备太阳电池的重要工艺流程。通过学习要掌握PECVD的工作原理，SiNx:H的钝化作用。任务分析01在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜，利用光学增透原理，减少光线反射，并同时起到硅片表面的顿化作用，有利于提高转换效率。02任务目的减反射原理SiNx:H减反射膜和PECVD技术PECVD种类SiNx:H简介制备过程SiNx:H的钝化作用PECVD对电性能影响PECVD技术的优势制绒与减反射膜知识应用一、减反射原理光照射到平面的硅片上，其中一部分被反射，即使对绒面的硅表面，由于入射光产生多次反射而增加了吸收，但也有约11%的反射损失。在其上覆盖一层减反射膜层，可大大降低光的反射。当减反膜的折射率和厚度的乘积等于四分之一入