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半导体器件的干法刻蚀技术考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.下列哪种材料常用作干法刻蚀的气体？（）

A.硅烷

B.硅酸乙酯

C.氟化氢

D.二氧化硫

2.在干法刻蚀过程中，以下哪个因素不会影响刻蚀速率？（）

A.刻蚀气体流量

B.反应室压力

C.温度

D.电路设计

3.下列哪种干法刻蚀技术属于各向同性刻蚀？（）

A.RIE（反应离子刻蚀）

B.ICP（电感耦合等离子体刻蚀）

C.DC-PECVD（直流等离子体增强化学气相沉积）

D.湿法刻蚀

4.在干法刻蚀中，等离子体的作用是什么？（）

A.生成自由基

B.热量

C.提供反应动力

D.以上都是

5.下列哪种气体在干法刻蚀过程中用作钝化气体？（）

A.氮气

B.氧气

C.氯气

D.硅烷

6.以下哪个因素会影响干法刻蚀的选择比？（）

A.刻蚀气体种类

B.反应室温度

C.电路设计

D.刻蚀时间

7.下列哪种干法刻蚀技术具有较好的各向异性？（)

A.ICP刻蚀

B.RIE刻蚀

C.湿法刻蚀

D.离子束刻蚀

8.在干法刻蚀过程中，为什么需要使用光刻胶作为刻蚀掩模？（）

A.防止氧化

B.提高刻蚀速率

C.确保刻蚀的选择性

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D.防止污染

9.下列哪种材料在干法刻蚀过程中用作抗反射涂层？（）

A.石蜡

B.二氧化硅

C.硅烷

D.氧化铝

10.以下哪个步骤不属于干法刻蚀的基本流程？（）

A.光刻

B.去胶

C.刻蚀

D.清洗

11.下列哪种现象在干法刻蚀过程中可能出现？（）

A.刻蚀不足

B.刻蚀过度

C.横向刻蚀

D.以上都是

12.以下哪个参数不会影响干法刻蚀的刻蚀深度？（）

A.刻蚀时间

B.刻蚀气体流量

C.反应室压力

D.光刻胶厚度

13.下列哪种干法刻蚀技术适用于刻蚀高深宽比的结构？（）

A.RIE刻蚀

B.ICP刻蚀

C.湿法刻蚀

D.离子束刻蚀

14.在干法刻蚀过程中，为什么需要对硅片进行升温处理？（）

A.提高刻蚀速率

B.降低反应室压力

C.提高选择比

D.防止硅片受损

15.下列哪种气体在干法刻蚀过程中用作刻蚀气体？（）

A.氮气

B.氧气

C.氟化氢

D.二氧化硫

16.在干法刻蚀中，为什