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功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的利用率,降低系统成本,并保证系统的可靠性。
功率器件热设计基础系列文章会联系实际,比较系统地讲解热设计基础知识,相关标准和工程测量方法。
1功率半导体模块壳温和散热器温度
功率模块的散热通路由芯片、DCB、铜基板、散热器和焊接层、导热脂层串联构成的。各层都有相应的热阻,这些热阻是串联的,总热阻等于各热阻之和,这是因为热量在传递过程中,需要依次克服每一个热阻,所以总热阻就是各热阻的累积。
各芯片在导热通路上有多个导热层,在IEC60747-15
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