NSM2012-20B3R-DSPR 基于霍尔原理，高精度，具有共模磁场抑制，可达 3000V 隔离的电流传感器 SOIC8 深圳恒锐丰科技.pdf

NSM2012

基于霍尔原理，高精度，具有共模磁场抑

制，可达3000V隔离的电流传感器

Datasheet(CN)1.0

ProductOverview比例输出或者固定输出

NSM2012是一款集成路径电流传感器，具有1.2mΩ极低工作温度：-40℃~125℃

的导通电阻，减少了芯片上的热损耗。原边导通电阻：1.2mΩ

SOIC8封装

纳芯微创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高隔离

等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部采用差分霍满足UL62368/EN62368安规认证

尔对，因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。ROHS

NSM2012支持比例输出和固定输出模式，固定模式方便客Applications

户ADC差分采样Vref以及Vout的电压以减少外部共模干

光伏

扰（比如温度等）。对比同样Shunt+隔离运放的电流采样

方式，NSM2012省去了原边供电并且Layout简单方便，同工业电源

时具有极高隔离耐压以及Lifetime稳定性。电机控制

在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2012即可达到OBC/DCDC/PTCHeater

600Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受6kV浪涌充电桩

电压。

由于NSM2012内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校

准，此电流传感器在全温度工作范围都可以保持很好的精DeviceInformation

度，客户无需做二次编程。

PartNumberPackageBodySize

NSM2012SOIC84.9mm*3.9mm

支持3.3V/5V供电电压（不同供电版本）。

KeyFeatures

高带宽以及快速响应时间FunctionalBlockDiagrams

400kHz带宽

1.5us响应时间

高精度电流测量

差分霍尔检测可抵御外界杂散磁场

满足UL标准的高隔离等级

耐受隔离耐压（VISO）:3000Vrms

最大浪涌隔离耐压（Vsurge）:6kV

CMTI100V/ns

CTI（I）

爬电距离/电气间距：4mm

纳芯微创新的斩波以及旋转电流激励技术使得零点Figure1.NSM2012BlockDiagram

温漂很小

Copyright©2021,NOVOSENSEPage1

NSM2012Datasheet(CN)1.0

INDEX

1.PINCONFIGURATIO