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A.M.U原子质量数
ADIAfterdevelopinspection显影后检视!n(\+q8_%gz
AEI蚀科后检查%Y4_+@7^%v9U,g
Alignment排成一直线,对平7B:R)M;BR#i5d
Alloy融合:电压与电流成线性关系,降低接触的阻值ARC:
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ASHER:一种干法刻蚀方式
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Backside晶片背面
BacksideEtch背面蚀刻
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BPSG:含有硼磷的硅玻璃
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Cassette装晶片的晶舟
CD:criticaldimension关键性尺寸
Chamber反应室
Chart图表
Childlot子批
Chip(die)晶粒
CMP化学机械研磨
Coater光阻覆盖(机台)
Coating涂布,光阻覆盖
ContactHole接触窗
ControlWafer控片
Criticallayer重要层
CVD化学气相淀积
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Cycletime生产周期
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DIwater去离子水
Diffusion扩散
Doping掺杂
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Downgrade降级
DRC:designrulecheck设计规则检查
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Duedate交期
Dummywafer挡片
E/R:etchrate蚀刻速率
EE设备工程师
EndPoint蚀刻终点
ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损
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