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Fab厂常用术语--第1页

Fab厂常用术语

Fab厂常用术语

somephrasesandwordsinFABcleanroomsystem

A.M.U原子质量数

ADIAfterdevelopinspection显影后检视!n(\+q8_%gz

AEI蚀科后检查%Y4_+@7^%v9U,g

Alignment排成一直线,对平7B:R)M;BR#i5d

Alloy融合:电压与电流成线性关系,降低接触的阻值ARC:

anti-reflectcoating防反射层

ASHER:一种干法刻蚀方式

ASI光阻去除后检查

Backside晶片背面

BacksideEtch背面蚀刻

Beam-Current电子束电流

BPSG:含有硼磷的硅玻璃

Break中断,stepper机台内中途停止键

Cassette装晶片的晶舟

CD:criticaldimension关键性尺寸

Chamber反应室

Chart图表

Childlot子批

Chip(die)晶粒

CMP化学机械研磨

Coater光阻覆盖(机台)

Coating涂布,光阻覆盖

ContactHole接触窗

ControlWafer控片

Criticallayer重要层

CVD化学气相淀积

Fab厂常用术语--第1页

Fab厂常用术语--第2页

Cycletime生产周期

Defect缺陷

DEP:deposit淀积

Descum预处理%u$j$I6Z*J3g/j

Developer显影液;显影(机台)

Development显影

DG:dualgate双门

DIwater去离子水

Diffusion扩散

Doping掺杂

Dose剂量

Downgrade降级

DRC:designrulecheck设计规则检查

DryClean干洗

Duedate交期

Dummywafer挡片

E/R:etchrate蚀刻速率

EE设备工程师

EndPoint蚀刻终点

ESD:electrostaticdischarge/electrostaticdamage静电离子损

ET:etch蚀刻

Exhaust排气(将管路中的空气排除)

Exposure曝光

FAB工厂

FIB:focusedionbeam聚焦离子束

FieldOxide场氧化层

Flatness平坦度

Focus焦距

Foundry代工

Fab厂常用术语--第2页

Fab厂常用术语--第3页

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