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电子电工中职一考题.docVIP

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填空题(40分,一空一分)

半导体是一种导电能力介于____与_____之间的物质。

制造半导体元器件最常用的材料是___和_______。

半导体的主要特性是_____、_____和______。

利用半导体材料的_____特性可制成热敏电阻,利用______特性可制成光电器件。

在纯净半导体中,自由电子浓度____空穴浓度;在P型半导体中,自由电子浓度___空穴浓度;在N型半导体中,自由电子浓度_____空穴浓度。

半导体中的电流是___和_______的代数和。

二极管的主要特性是_______。它的四个主要参数是___________、_________、_____________、__________。

使PN结正偏的方法是:将P区接___电位,N区接______电位。正偏时PN结处于________状态,反偏时PN结处于___________状态。

在常温下,硅二极管的死区电压电压约为_______V,正向导通后的管压降约为________V。

在常温下,鍺二极管的死区电压电压约为_______V,正向导通后的管压降约为________V。

2AP系列的二极管是由_______半导体材料制成的,2CP、2CZ系列二极管是由_______半导体材料制成的。

稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性与普通二极管________,反向特性曲线在击穿区域比普通二极管更_________。

光电二极管在施加反向电压时,在光线照射下反向电阻由_______变__________。

发光二极管的功能是将_____转换为__________。

三极管的三个电极分别为_________、_________________和__________。

三极管具有电流放大作用的外部条件是_________________和__________________。

选择题(20分,每题2分)

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于______,少数载流子的浓度主要取决于______。

A、晶体缺陷B、掺杂工艺C、杂质浓度D、温度

2、N型半导体中的少数载流子是______。

A、自由电子B、空穴C、中字D、质子

3、P型半导体中的多数载流子是_______。

A、自由电子B、空穴C、中字D、质子

4、在纯净半导体中掺入微量___元素可形成P型半导体。

A、磷B、砷C、铟D、鍺

5、二极管的正极电位是-5.3V,负极电位是-6V,则该二极管处于__________状态。

A、零偏B、反偏C、正偏D、负偏

6、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将___________。

A、减小B、增大C、不变D、基本不变

7、以下属于特殊二极管的是___。

A、开关二极管B、发光二极管C、整流二极管D、检波二极管

8、以下属于稳压二极管的型号是_______。

A、2EF31B、2CK84C、2CZ11DD、2CW15

9、稳压二极管的稳定电压VZ是指其__________。

A、反向偏置电压B、正向导通电压C、死区电压

D、反向击穿电压

10、二极管内部是由____所构成的。

A、一个PN结B、两个PN结

C、两块N型半导体D、两块P型半导体

解答题(40分)

1、如图所示电路中,设二极管的正向导通压降为0.7V,试判断途中的二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出电压VO.

(A)(B)

2、一桥式整流电路,变压器一次电压为220V,要求输出直流电压为18V,输出直流电流为200mA,试求;

变压器的变压比;

整流二极管所承受的最高反向工作电压VRM和最大整流电流IF

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