NSM2011-100B5R_DSW 高精度霍尔效应电流传感器IC 5千伏高隔离共模场抑制 WB SOIC16 深圳恒锐丰科技.pdf

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NSM2011

High-Accuracy,Hall-Effect-BasedCurrentSensorICwith

Common-ModeFieldRejectionin5kVHigh-Isolation

Datasheet(EN)1.3

ProductOverviewMaximumworkingisolationwithstandvoltage(VIOWM):

1097Vrms

NSM2011isanintegratedpathcurrentsensorwithavery

Withstandisolationvoltage(VISO):5000Vrms

lowon-resistanceof0.85mΩ,reducingheatlossonthechip.

Maximumsurgeisolationwithstandvoltage(VIOSM):

NOVOSENSEinnovativeisolationtechnologyandsignal10kV

conditioningdesigncanmeethighisolationlevelswhileMaximumsurgecurrent(Isurge):13kA

sensingthecurrentflowingthroughtheinternalBusbar.A

CMTI100V/ns

differentialHallpairisusedinternally,soithasastrong

CTI（I）

immunitytoexternalstraymagneticfields.

Creepagedistance/Clearancedistance:8mm

NSM2011sensesthemagneticfieldgeneratedbytheBusbar

AnexternalcapacitorontheFilterpincanreducenoise

currentflowingunderthechiptoindirectlydetectthe

(sacrifi

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