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NSM2013
High-Accuracy,Hall-Effct-BasdCurrntSnsorICwith
Common-ModFildRjctionin5kVHigh-Isolation
Datasht(EN)1.0
ProductOvrviwHighisolationlvlthatmtsULstandards
Maximumrpatdisolationwithstandvoltag(VIROM):
NSM2013isanintgratdpathcurrntsnsorwithavry
1550Vpk
lowon-rsistancof0.85mΩ,rducinghatlossonthchip.
Maximumworkingisolationwithstandvoltag(VIOWM):
NOVOSENSEinnovativisolationtchnologyandsignal1097Vrms
conditioningdsigncanmthighisolationlvlswhilWithstandisolationvoltag(VISO):5000Vrms
snsingthcurrntflowingthroughthintrnalBusbar.A
Maximumsurgisolationwithstandvoltag(VIOSM):
diffrntialHallpairisusdintrnally,soithasastrong10kV
immunitytoxtrnalstraymagnticfilds.
Maximumsurgcurrnt(Isurg):13kA
NSM2013snssthmagnticfildgnratdbythCMTI100V/ns
BusbarcurrntflowingundrthchiptoindirctlydtctCTI(I)
thcurrnt.Compardwiththcurrntsamplingmthod
Crpagdistanc/Clarancdistanc:8mm
ofthShunt+isolatdop-amp,NSM2013liminatsth
NOVOSENSEinnovativ‘SpinCurrnt’tchnology
ndforthprimarysidpowrsupplyandhasasimpl
maksoffsttmpraturdrif
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