宏盛微半导体AP18N20HD.pdf

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AP18N20HD

200VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP18N20HDissiliconN-channelEnhanced

VDMOSFETs,isobtainedbytheself-alignedplanarTechnology

whichreducetheconductionloss,improveswitching

performanceandenhancetheavalancheenergy.Thetransistor

canbeusedinvariouspowerswitchingcircuitforsystem

miniaturizationandhigherefficiency.

GeneralFeatures

V=200VI=18A

DSD

RDS(ON)150mΩ@VGS=10V（Type：120mΩ）

Application

UninterruptiblePowerSupply(UPS)

PowerFactorCorrection(PFC)

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP18N20HDTO-252-3LAP18N20HDXXXYYYY2500

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

Value

SymbolParameterUnit

TO-252

VDSSDrain-SourceVoltage(VGS=0V)200V

IDContinuousDrainCurrent18A

IDMPulsedDrainCurrent(note1)72A

VGSGate-SourceVoltage±20V

EASSinglePulseAvalancheEnergy(note

该用户很懒，什么也没介绍

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