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AP20N15S
150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET
Description
TheAP20N15SusesadvancedAPM-SGTⅠⅠtechnology
toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand
operationwithgatevoltagesaslowas4.5V.This
deviceissuitableforuseasaBatteryprotection
orinotherSwitchingapplication.
GeneralFeatures
V=150VI20A
DSD
RDS(ON)60mΩ@VGS=10V(Type：43mΩ)
Application
Batteryprotection
Loadswitch
Uninterruptiblepowersupply
PackageMarkingandOrderingInformation
ProductIDPackMarkingQty(PCS)
AP20N15SSOP-8AP20N15SXXXYYYY3000
AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)
C
SymbolParameterRatingUnits
VDSDrain-SourceVoltage150V
VGSGate-SourceVoltage±20V
ID@TC=25℃ContinuousDrainCurrent120A
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ID@TA=70℃ContinuousDrainCurrent13.8A
IDMPulsedDrainCurrent260
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