宏盛微半导体AP40N15FPT.pdf

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AP40N15FITIP

150VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

Description

TheAP40N15F/P/Tusesadvancedtrenhtechnology

toprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeand

operationwithgatevoltagesaslowas10V.This

deviceissuitableforuseasaBatteryprotection

orinotherSwitchingapplication.

GeneralFeatures

V=150VI40A

DSD

RDS(ON)46mΩ@VGS=10V(Type：35mΩ)

Application

DC/DCConverter

LEDBacklighting

PowerManagementSwitches

PackageMarkingandOrderingInformation

ProductIDPackMarkingQty(PCS)

AP40N15FTO-220F-3LAP40N15FXXXYYYY1000

AP40N15PTO-220-3LAP40N15PXXXYYYY1000

AP40N15TTO-263-3LAP40N15TXXXYYYY800

AbsoluteMaximumRatings(T=25℃unlessotherwisenoted)

SymbolParameterRatingUnits

VDSDrain-SourceVoltage150V

VGSGate-SourceVoltage±20V

I@T=25℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V140A

I@T=100℃ContinuousDrainCurrent,VGS@10V128A

IDMPulsedDrainCurrent2

该用户很懒，什么也没介绍

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