NSM2016-50U5F-DSPR 基于霍尔原理，具有共模磁场抑制和过流保护功能的电流传感器 WB SOIC16 深圳恒锐丰科技.pdf

NSM2016

基于霍尔原理,高精度,具有共模磁场抑

制和过流保护功能的电流传感器

Datasht(CN)1.0

概述爬电距离/电气间距：4mm

纳芯微创新的斩波以及旋转电流激励技术使得零点

NSM2016是一款集成路径电流传感器，具有1.2mΩ极低

温漂很小

的导通电阻，减少了芯片上的热损耗。

纳芯微创新的隔离技术以及信号调理设计能够满足高固定输出

隔离等级的同时感测流过内部Busbar的电流。内部采用Fault过流保护功能

差分霍尔对，因此对外部杂散磁场有很强的抵御能力。工作温度：-40℃~125℃

NSM2016支持固定输出模式。对比同样Shunt+隔离运放

原边导通电阻：1.2mΩ

的电流采样方式，NSM2016省去了原边供电并且Layout

SOIC8封装

简单方便，同时具有极高隔离耐压以及Liftim稳定性。

在高边电流检测应用中只需用一颗NSM2016即可达到满足UL62368/EN62368安规认证

600Vpk工作电压，无需加任何保护器件即可耐受6kV浪ROHS

涌电压。

由于NSM2016内部精确的温度补偿算法以及出厂精度校应用

准，此电流传感器在全工作温度范围都可以保持很好

光伏

的精度，客户无需做二次编程。

工业电源

NSM2016具有过流保护功能。

支持3.3V/5V供电电压（不同供电版本）。电机控制

OBC/DCDC/PTCHatr

特性充电桩

高带宽以及快速响应时间

器件信息

380kHz带宽

料号封装塑封尺寸

1.5us响应时间

NSM2016SOIC84.9mm*3.9mm

高精度电流测量

差分霍尔检测可抵御外界杂散磁场

满足UL标准的高隔离等级

耐受隔离耐压（VISO）:3000Vrms

最大浪涌隔离耐压（VIOSM）:6kV

CMTI100V/ns

CTI（I）

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功能框图

Figur1.NSM2016功能框图

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