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YJ扬杰SiC汽车电子 YJD212025NCFYG3Q规格说明书.pdf

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RoHS

YJD212025NCFYG3Qcowpuiawr

SiliconCarbidePowerMOSFET〈N-ChannelEnhancement)

Features

1200V

seHighspeedswitching

可局80AeEssentiallynoSwitchinglosses

eReductionofheatsinkrequirements

Rosen25mo

seMaximumworkingtemperatureat175“C

seHighbleckingvoltage

eFastIntrinsicdiodewithlowrecoverycurrent

seHigh-frequencyoperation

seHalogenfree,RoHScompliant

eAEC-Q101qualified

TypicalApplications

Typicalapplicationsareinpowerfactorcorrection(PFC),solar

inverteruninterruptiblepowersupply,motordrives,photovoltaic

7二inverterelectriccarandcharger.

MechanicalData

@Package:TD-247-4L

eTerminals:Tinplatedleads

人ePolarity:Asmarked

1Pin3

Driver

Souree

《En3了Power

二这

Souree

MaximumRatings(Tc=25CUnlessotherwisespecified)

PARAMTETERSYMBOL|UNITVALUETESTCONDITIONSNOTE

DevicemarkingcodeD212025NCFYG3Q

Drainsourcevoltage11

@TF25*CVosmasV1200

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